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产品详情
SiC(碳化硅)MOSFET_型号SCT3160KLGC11
型号: SCT3160KLGC11
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技术参数
耗散功率
103000mW
其他
产品生命周期
Active
封装参数
封装
TO-247-3
外形尺寸
封装
TO-247-3
符合标准
RoHS标准
Compliant
含铅标准
leadFree
海关信息
ECCN代码
EAR99
产品概述

SCT3160KL 系列 1200 V 17 A 208 mOhm N-沟道 SiC 功率 Mosfet - TO-247N

SCT3160KL Series 1200 V 17 A 208 mOhm N-Channel SiC Power Mosfet - TO-247N


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