深圳市华芯百创科技有限公司
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IGBT_型号RGT50NS65DGTL
型号: RGT50NS65DGTL
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其他
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650V
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
48A
脉冲电流 - 集电极 (Icm)
75A
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
2.1V @ 15V,25A
功率 - 最大值
194W
开关能量
-
输入类型
标准
栅极电荷
49nC
25°C 时 Td(开/关)值
27ns/88ns
测试条件
400V,25A,10欧姆,15V
反向恢复时间(trr)
58ns
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商器件封装
LPDS
封装参数
封装
LPDS
外形尺寸
封装
LPDS
符合标准
RoHS标准
Compliant


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